SiC单晶片研磨机理及试验

人工晶体学报, 2013, 42(10): 2065-2075.

SiC单晶片研磨机理及试验

李淑娟 ^1, , 胡海明 ^2, , 李言 ^3, , 高新勤 ^4,

1.西安理工大学机械与精密仪器工程学院,西安710048

2.西安理工大学机械与精密仪器工程学院,西安710048

3.西安理工大学机械与精密仪器工程学院,西安710048

4.西安理工大学机械与精密仪器工程学院,西安710048

基金项目: 国家自然科学基金(51175420) 陕西省教育厅基金(11JK0849/11JS074)

关键词： SiC单晶 , 研磨 , 脆性去除 , 塑性去除 , 表面粗糙度

Mechanism and Experiment on Lapping SiC Single Crystal Wafer

LI Shu-juan ^1, , HU Hai-ming ^2, , LI Yan ^3, , GAO Xin-qin ^4,

1.西安理工大学机械与精密仪器工程学院,西安710048

2.西安理工大学机械与精密仪器工程学院,西安710048

3.西安理工大学机械与精密仪器工程学院,西安710048

4.西安理工大学机械与精密仪器工程学院,西安710048

Keywords： SiC single crystal , lapping , brittle fracture removal , ductile removal , surface roughness

SiC因其优良的物理机械性能而广泛应用于大功率器件以及IC领域.但其高的硬度和脆性导致其加工过程非常困难.本文分析了SiC单晶在研磨过程中的材料去除机理,讨论了塑性去除时磨粒的临界切削深度,建立了塑性条件下的材料去除模型.采用不同粒度的金刚石磨粒对SiC晶片进行研磨实验,验证了理论模型的正确性,结果表明在塑性模式下的材料去除能获得良好的表面形貌和较低粗糙度,同时对不同磨粒粒度的材料去除率进行了讨论.

参考文献

[1]	杨明超,陈治明,封先锋,林生晃,李科,刘素娟,刘宗芳.PVT法生长SiC过程生长界面形状对热应力的影响[J].人工晶体学报,2012(01):24-27.
[2]	赵树峰,陈治明,潘盼,王欢欢.SiC单晶片的取向研磨[J].人工晶体学报,2010(02):365-368.
[3]	N. S. Ong;V. C. Venkatesh .Semi-ductile grinding and polishing of Pyrex glass[J].Journal of Materials Processing Technology,1998(1/3):261-266.
[4]	V. Sinhoff .Generative precision grinding of optical glass[J].CIRP Annals,1998(1):253-258.
[5]	肖强.超声研磨SiC单晶材料去除率与表面特征研究[J].人工晶体学报,2011(02):496-499.
[6]	胡海明,李淑娟,高晓春,李言.SiC单晶片研磨过程材料去除率仿真与试验研究[J].兵工学报,2013(09):1125-1131.

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