采用X射线衍射仪(XRD)和扫面电子显微镜(SEM)研究了短碳纤维表面镀铜层的物相及镀铜层的生长过程,分析了电沉积镀铜机理,优化了其工艺.结果表明,当镀铜电压为1V时,Cu在碳纤维表面择优位置形核,形核率和长大速度较低,沉积30 min碳纤维表面形成的Cu镀层不完整;1.5V时沉积30 min的Cu镀层完整性较1V时明显改善,电压为2V时沉积30 min可以得到均匀的镀层;当电压为2.5V时,Cu镀层生长速度显著加快,镀层易脱落.
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