磁控溅射制备SiC薄膜及其高温抗氧化性

材料热处理学报, 2013, 34(z1): 135-138.

磁控溅射制备SiC薄膜及其高温抗氧化性

李辉 ^1, , 李合琴 ^2, , 胡仁杰 ^3, , 张元元 ^4,

1.合肥工业大学材料科学与工程学院,安徽合肥230009

2.合肥工业大学材料科学与工程学院,安徽合肥230009

3.合肥工业大学材料科学与工程学院,安徽合肥230009

4.合肥工业大学材料科学与工程学院,安徽合肥230009

基金项目: 安徽省自然科学基金(090414182) 安徽省高校自然科学基金(KJ2009A091,KJ2012A228) 国家"973"计划项目(2008CB717802)

关键词： SiC薄膜 , 射频磁控溅射 , SiO2 , 抗氧化性

High-temperature oxidation resistance of SiC thin films deposited by magnetron sputtering

LI Hui ^1, , LI He-qin ^2, , HU Ren-jie ^3, , ZHANG Yuan-yuan ^4,

1.合肥工业大学材料科学与工程学院,安徽合肥230009

2.合肥工业大学材料科学与工程学院,安徽合肥230009

3.合肥工业大学材料科学与工程学院,安徽合肥230009

4.合肥工业大学材料科学与工程学院,安徽合肥230009

Keywords： SiC thin film , RF magnetron sputtering , SiO2 resistance of oxidation ,

用射频磁控溅射法在单晶Si(100)基片上制备了SiC薄膜.将制备的薄膜分别在800、900和1000℃空气气氛中退火120 min.用X射线衍射仪和傅里叶变换红外光谱仪测试了薄膜的结构,用X射线光电子能谱仪测试了薄膜元素的组成和状态,用场发射扫描电子显微镜测试了薄膜表面的形貌.结果表明:经800℃空气退火后,薄膜表面生成了一层SiO2保护层,阻止了内部SiC薄膜的继续氧化,因此SiC薄膜在800℃具有较好的高温抗氧化性；随着退火温度的升高,SiC薄膜被进一步氧化,经1000℃空气退火后,薄膜已大部分转变为SiO2.

参考文献

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