丝网印刷nano-SiC薄膜阴极的电子特性的研究

功能材料, 2010, 41(4): 555-561.

丝网印刷nano-SiC薄膜阴极的电子特性的研究

张秀霞 ^1, , 雷崇民 ^2, , 王晓娥 ^3, , 盛洪江 ^4, , 魏舒怡 ^5, , 魏杰 ^6,

1.北方民族大学,电信学院,宁夏,银川,750021;西安交通大学,机械学院,陕西,西安,710049

2.北方民族大学,电信学院,宁夏,银川,750021

3.北方民族大学,电信学院,宁夏,银川,750021

4.北方民族大学,电信学院,宁夏,银川,750021

5.中国科学院,研究生院,北京,100049

6.北方民族大学,电信学院,宁夏,银川,750021

基金项目: 国家自然科学基金资助项目(60844006)

关键词：纳米碳化硅薄膜 , 电子场发射 , 丝网印刷 , 后处理过程

Electronic property of screen-printing nano-SiC cathode

研究了低成本大面积丝网印刷在玻璃衬底上均匀的纳米碳化硅(nano-SiC)薄膜的场致发射特性.提出了机械分散团聚的nano-SiC的方法,实验了适合导电玻璃衬底上制备nano-SiC薄膜的浆料配方,摸索导电玻璃衬底上nano-SiC薄膜的烧结工艺,研究了不同nano-SiC含量的薄膜的场发射特性,得到了最佳场致发射特性的配方比例.对样品进行微观分析和表征.具有稳定均匀场致发射性能的nano-SiC薄膜可作为显示器器件的阴极材料.

参考文献

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Electronic property of screen-printing nano-SiC cathode

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