热丝CVD工艺参数对GeSi薄膜键结构影响的研究

功能材料, 2010, 41(10): 1699-1705.

热丝CVD工艺参数对GeSi薄膜键结构影响的研究

黄海宾 ^1, , 沈鸿烈 ^2, , 吴天如 ^3, , 张磊 ^4, , 岳之浩 ^5,

1.南京航空航天大学,材料科学与工程学院,江苏,南京,211100

2.南京航空航天大学,材料科学与工程学院,江苏,南京,211100

3.南京航空航天大学,材料科学与工程学院,江苏,南京,211100

4.南京航空航天大学,材料科学与工程学院,江苏,南京,211100

5.南京航空航天大学,材料科学与工程学院,江苏,南京,211100

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2006AA03Z219)

关键词：热丝CVD , 锗硅薄膜 , 键结构 , 热丝温度 , 锗烷硅烷流量比

Effect of process parameters on bonds structure of GeSi films by hot-wire CVD

对高H2稀释比条件下热丝CVD法制备GeSi薄膜的工艺参数对薄膜的键结构的影响进行了研究.用Raman谱和FT-IR谱对薄膜中非极性键(Ge-Ge、Ge-Si和Si-Si)相对含量的变化和极性键(Ge-H、Ge-H2、Si-H等H键)相对含量的变化进行了分析.研究结果表明,热丝CVD工艺参数对制备的GeSi薄膜中非极性键和极性键的影响规律是不同的.热丝温度和锗烷硅烷流量比(RS/G)对非极性键相对含量的变化均有影响.随着热丝温度上升Ge-Si和Si-Si相对含量均增加.随着RS/G增加Si-Si相对含量一直增加,Ge-Si相对含量先增加,当RS/G＞1.4时开始下降.但热丝温度和RS/G对H键的影响规律有很大不同:随着RS/G增加,Si-H键的相对含量增加,Ge-H和Ge-H2键的相对含量减少,而热丝温度对H键相对含量基本无影响.

参考文献

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