高气压条件下MPCVD法快速制备金刚石膜

硅酸盐通报 , 2015, 34(8): 2177-2180.

高气压条件下MPCVD法快速制备金刚石膜

周学芹 ^1, , 史玉芬 ^2, , 李坤 ^3, , 刘小利 ^4,

1.常州大学材料科学与工程学院,常州213164;常州宝颐金刚石科技有限公司,常州213022

2.常州大学材料科学与工程学院,常州213164;常州宝颐金刚石科技有限公司,常州213022

3.常州大学材料科学与工程学院,常州,213164

4.常州宝颐金刚石科技有限公司,常州,213022

关键词： MPCVD , 金刚石膜 , 生长速率

Rapid Growth of Polycrystalline Diamond Films by MPCVD at High Gas Pressure

Keywords： MPCVD , polycrystalline diamond films , growth rate

近年来研究表明,在微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)制备金刚石的过程中,增大反应气压和微波功率是提高金刚石生长速率的有效途径.本文采用自主改进的圆柱谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源,在反应气压30 kPa、微波功率5.8 kW、CH4浓度不同的条件下进行了多晶金刚石膜的制备研究,并采用扫描电镜、X-射线衍射和激光拉曼光谱技术对所制备样品的表面形貌、物相及品质进行了分析.结果表明,CH4浓度由2.5％提高至5％,金刚石膜的质量较好,沉积速率由7.5μm/h提高至27.5μm/h.

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Rapid Growth of Polycrystalline Diamond Films by MPCVD at High Gas Pressure

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