以高纯Mg、Se单质为原料,NH4Cl作反应促进剂,温度为999~992℃,采用化学气相输运法(CVT)成功合成出MgSe多晶.采用X射线粉末衍射仪、紫外-可见-近红外分光光度计、傅立叶变换红外光谱仪以及光致发光测试系统研究了MgSe多晶的结构和光学特性.结果表明:合成物为MgSe多晶,具有NaCl型结构,禁带宽度Eg为1.98eV,在1.6eV附近内存在与施主-受主对辐射复合发光相关的发光带.研究证明由Mg、Se单质在促进剂NH4Cl辅助下直接合成MgSe多晶是一种较好的方法.
参考文献
[1] | 廖清华,彭学新,熊传兵,刘念华,范广涵,江风益.MgSe薄膜的相结构研究[J].半导体学报,1998(11):824. |
[2] | 任意 .MgS和MgSe物性的第一原理研究[D].中南大学,2010. |
[3] | Jiang FY.;Fan GH.;Xiong CB.;Peng XX.;Pan CK.;Liu NH.;Liao QH. .MOCVD growth of MgSe thin films on GaAs substrates[J].Journal of Crystal Growth,1998(3):289-293. |
[4] | Duman S;Bagci S;Tutuncu HM;Srivastava GP .First-principles studies of ground-state and dynamical properties of MgS, MgSe, and MgTe in the rocksalt, zinc blende, wurtzite, and nickel arsenide phases[J].Physical review, B. Condensed matter and materials physics,2006(20):5201-1-5201-14-0. |
[5] | F. FIRSZT;S.LEGOWSKI;H.MECZYNSKA;C. T. HUANG;H. P. Hsu;Y.S. HUANG .Localization of Excited Carriers in Zn_(1-x)Mg_xSeand Zn_(1-x-y)Mg_xCd_ySe Solid Solutions[J].Journal of the Korean Physical Society,2008(1):13-18. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%