CdZnTe晶体欧姆接触电极的制备工艺研究

功能材料, 2004, 35(z1): 1215-1218.

CdZnTe晶体欧姆接触电极的制备工艺研究

陈继权 ^1, , 孙金池 ^2, , 李阳平 ^3, , 刘正堂 ^4,

1.西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072

2.西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072

3.西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072

4.西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072

基金项目: 国防科技应用基础研究基金(J1500E002)

关键词：碲锌镉 , 欧姆接触 , 薄膜 , 磁控溅射

Study of processing of ohmic contact electrode prepared on CdZnTe crystal

高阻CdZnTe晶体是X射线及γ射线探测最优秀的材料.制备CdZnTe探测器最关键的技术之一就是在CdZnTe表面制备出欧姆接触薄膜电极.关于在CdZnTe晶体表面制备接触电极用导电薄膜,大都是采用蒸发镀膜技术,膜层与CdZnTe晶体结合不很牢固.本论文主要开展了在CdZnTe晶体上欧姆接触电极的选材和制备工艺的研究.理论分析了金属与CdZnTe半导体的接触关系,根据影响因素选择Cu/Ag合金作为电极薄膜材料.利用射频磁控溅射法成功地在CdZnTe晶体上制备出Cu/Ag膜.研究发现Cu/Ag合金膜的电阻率随溅射功率的增大而增大、衬底温度的升高而降低.从理论上对这一规律进行了解释.

参考文献

[1]	James R B et al.Material Properties of Large-Volume CdZnTe Crystals and Their Relationship to Nuclear Detector Performance[J].Journal of Electronic Materials,1998,27(06):788-799.
[2]	Verger L;Bonnefoy J P;Glasser F et al.New developments in CdZnTe detectors for X and γ-ray applications[J].Journal of Electronic Materials,1997,26:738.
[3]	刘恩科;朱秉升;罗晋升.半导体物理学[M].北京:国防工业出版社,1995
[4]	Sen S;Rhiger D R;Curtis C R et al.Extraction of Mobile Impurities for CdZnTe[J].Journal of Electronic Materials,2000,29(06):775-780.
[5]	R. HIRANO;A. HICHIWA;H. MAEDA .Evaluation of Zn Uniformity in CdZnTe Substrates[J].Journal of Electronic Materials,2000(6):654-656.
[6]	田莳;李秀臣;刘正堂.金属物理性能[M].北京:国防工业出版社,1985

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