经高温热处理后的SiGe∶GaP 半导体温差电材料,其微观结构由具有富Si 相特征变化成为具有富Ge 相特征,温差电优值也得到了提高。实验还表明,材料晶格热导率的降低与富Si 相的消失和富Ge相的出现有关。然而,塞贝克系数和电导率的显著变化却与微观结构中富Si 相和富Ge 相的变化基本无关。通过对材料微观结构和温差电特性比较发现,具有富Ge 相特征的微观结构对应于较大的温差电优值。
An experimental investigation into the effect of heat treatment on morphologyand thermoelectric properties of SiGe:GaP alloys is reported.Attempt was made to correlate thechangas in the thermoelectric properties with these in matarial's morphology.The res
参考文献
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