厚膜EMI滤波器用X7R介质瓷料的研究

稀有金属材料与工程, 2005, 34(5): 764-767.

厚膜EMI滤波器用X7R介质瓷料的研究

李玲霞 ^1, , 郭炜 ^2, , 吴霞宛 ^3, , 王洪儒 ^4, , 张志萍 ^5, , 余昊明 ^6,

1.天津大学,天津,300072

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基金项目: 国家自然科学基金(50172035)

关键词：先驱体 , NiNb2O6 , MnNb2O6 , EMI , 滤波

Study on X7R Dielectric Material for Thick Film EMI Filter

利用先驱体NiNb2O6与MnNb2O6掺杂法改性BaTiO3系统.由于2种先驱体可以有效地起到展宽与移峰效应,使系统居里峰在室温附近取得最大值,在1 290℃烧结时介电常数达到5 000以上,容量变化率△C/C≤±15%;在系统中加入适量助熔剂可以实现中温烧结(1 150℃),介电常数大于3 600,容量变化率△dC≤±12%,满足X7R特性要求,可用于厚膜EMI滤波介质瓷料的制备.

参考文献

[1]	周少荣,肖培义,陈锦清,田长生.片式多层三端陶瓷EMI滤波器的研究[J].电子元件与材料,2002(02):22-24.
[2]	CCS.陶瓷(硅酸盐指南-中国硅酸盐学会手册[M].北京:中国建筑工业出版社,1996
[3]	陆佩文.硅酸盐物理化学[M].南京:东南大学出版社,1989
[4]	王红洁,金志浩,宫本钦生.Al2O3对Ti3SiC2/Al2O3复合材料性能及显微结构的影响[J].稀有金属材料与工程,2004(01):40-42.
[5]	苗鸿雁,丁常胜,罗宏杰,李永强.水热合成Sb-SnO2纳米粉体制备工艺参数的研究[J].稀有金属材料与工程,2003(09):761-764.

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Study on X7R Dielectric Material for Thick Film EMI Filter

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