La2O3掺杂对SnO2基陶瓷显微结构与电阻率的影响

人工晶体学报, 2009, 38(4): 943-947.

La2O3掺杂对SnO2基陶瓷显微结构与电阻率的影响

梅松柏 ^1, , 宁伟 ^2, , 汪庆卫 ^3, , 蒋守宏 ^4,

1.东华大学材料科学与工程学院,上海200051

2.先进玻璃制造技术教育部工程研究中心,上海200051

3.

4.

关键词： SnO2基陶瓷 , 氧化镧掺杂 , 电阻率

Effects of La2O3 Doping on Microstructure and Resistivity of SnO2-based Ceramics

以La2O3作掺杂剂,制备了La2O3掺杂的SnO2陶瓷.采用XRD、SEM以及其它测试手段对该陶瓷进行测试.结果表明:掺入适量的La2O3能够降低SnO2基陶瓷电阻率,促进SnO2晶相的形成和生长,对SnO2基陶瓷的致密化起到良好的作用.

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