研究共烧影响及其机理是开发多层片式压敏电阻的基础和关键.采用XRD、SEM、EDS研究了与Ag内电极共烧对ZnVSb陶瓷显微形貌、晶体结构及烧结性能的影响.结果表明,与Ag内电极共烧不影响ZnVSb陶瓷的相组成,但阻碍ZnVSb陶瓷烧结.Ag通过富V液相扩散并恶化其与ZnO晶粒的浸润性,从而阻碍ZnVSb陶瓷的致密化进程.Zn在Ag内电极中不存在扩散,而Sb在其中的扩散破坏了ZnVSb陶瓷原有的成分配比.研究结果为ZnVSb基片式压敏电阻开发奠定了基础.
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