锗纳米镶嵌薄膜的电致发光及其机制

功能材料, 2001, 32(6): 670-672.

锗纳米镶嵌薄膜的电致发光及其机制

董业民 ^1, , 叶春暖 ^2, , 汤乃云 ^3, , 陈静 ^4, , 吴雪梅 ^5, , 诸葛兰剑 ^6, , 王曦 ^7, , 姚伟国 ^8,

1.中国科学院

2.苏州大学物理系,

3.苏州大学物理系,

4.中国科学院上海冶金研究所

5.苏州大学物理系,

6.苏州大学物理系,

7.中国科学院上海冶金研究所

8.苏州大学物理系,

关键词：锗纳米镶嵌薄膜 , 电致发光 , 发光机制

Electroluminescence from Ge-nanocrystal-embedded thin films and its mechanism

采用射频磁控溅射技术,在Ge纳米镶嵌薄膜的基础上制备出电致发光器件.器件的结构为半透明Au膜/Ge纳米镶嵌薄膜/P-Si基片.当正向偏压大于6V时,用内眼可以观察到可见的电致发光,但在反向偏压下探测不到光发射.所测电致发光谱中只有一个发光峰,峰位在510nm(2.4eV,绿光),并且随着正向偏压的升高,峰位不发生移动;对于不同温度退火的样品,峰位也保持不变.根据分析结果讨论了可能的电致发光机制.

参考文献

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