制备工艺及参数对TbCo薄膜垂直磁各向异性能的影响

稀有金属材料与工程, 2007, 36(11): 1947-1950.

制备工艺及参数对TbCo薄膜垂直磁各向异性能的影响

黄致新 ^1, , 章平 ^2, , 张玉龙 ^3, , 王辉 ^4, , 吴斌 ^5, , 张锋 ^6, , 李佐宜 ^7,

1.华中师范大学,湖北,武汉,430079

2.华中师范大学,湖北,武汉,430079;郧阳师范高等专科学校,湖北,丹江口,442700

3.华中师范大学,湖北,武汉,430079;郧阳师范高等专科学校,湖北,丹江口,442700

4.华中师范大学,湖北,武汉,430079

5.华中师范大学,湖北,武汉,430079

6.华中师范大学,湖北,武汉,430079

7.华中科技大学,湖北,武汉,430074

基金项目: 湖北省自然科学基金(2005ABA041)

关键词： TbCo薄膜 , 磁各向异性 , 磁控溅射 , 工艺参数

Influence of Processing and Parameters on the Perpendicular Magnetic Anisotropy Energy of TbCo Films

采用射频磁控溅射法制备了TbCo非晶垂直磁化膜,并就制备工艺及参数对其磁各向异性能的影响进行了研究.结果表明:磁性层组分、溅射气压、基片偏压以及后退火温度对TbCo非晶垂直磁化膜的磁各向异性能都有不同程度的影响.当Tb含量为30%左右,或溅射气压为0.53 Pa时,TbCo薄膜的磁各向异性能Ku会呈现极大值.基片偏压超过-60V以后,TbCo薄膜Ku值开始显著上升,但超过-120 V以后,Ku值开始趋向饱和.200 ℃以上真空退火会使TbCo薄膜磁各向异性能Ku值明显下降.产生这些现象的原因与薄膜微观结构的改变有关.

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