欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

HfO2薄膜是用电子束蒸发方法制备的,利用ZYGO干涉仪测量了基片镀膜前后曲率半径的变化,计算了薄膜应力.对样品进行了XRD测试,讨论了膜厚对薄膜残余应力的影响.结果发现不同厚度HfO2薄膜的残余应力均为张应力,应力值随薄膜厚度的增加而减小,当薄膜厚度达到一定值后,应力值趋于稳定.从微观结构变化对实验结果进行了分析,发现微结构演变引起的本征应力变化是引起薄膜残余应力改变的主要因素.

参考文献

[1] 范瑞英;范正修 .[J].光学仪器,2001,23:84.
[2] 劳技军,胡晓萍,虞晓江,李戈扬,顾明元.AlN在AlN/VN纳米多层膜中的相转变及其对薄膜力学性能的影响[J].物理学报,2003(09):2259-2263.
[3] 方志军,夏义本,王林军,张伟丽,马哲国,张明龙.Al2O3陶瓷衬底碳离子预注入对金刚石薄膜应力的影响研究[J].物理学报,2003(04):1028-1033.
[4] Shao S Y;Fan Z X;Shao J D et al.[J].Thin Solid Films,2003,445:59.
[5] 任凤章,郑茂盛,周根树,赵文轸,顾海澄.不锈钢和Ti基体上Cu,Ag,Ni膜中的内应力研究[J].稀有金属材料与工程,2004(07):706-709.
[6] 任凤章,周根树,赵文轸,胡志忠,郑茂盛.悬臂梁法测量不锈钢基体上铜膜和银膜残余应力[J].稀有金属材料与工程,2003(06):478-480.
[7] Callegari A;Cartier E;Gribelyuk M et al.[J].Journal of Applied Physics,2001,90:6466.
[8] 阎志军;王印月;徐闰 et al.[J].物理学报,2004,53:2271.
[9] Alvisi M;Scaglione S;Martelli S et al.[J].Thin Solid Films,1999,354:19.
[10] Thielsch Roland;Gatto Alexandre;Kaiser Norbert .[J].Applied Optics,2002,41(16):3211.
[11] Tamulevicius S .[J].Vacuum,1998,51(02):127.
[12] 李恒德;肖纪美.材料表面与界面[M].北京:清华大学出版社,1990:145.
[13] 杨绪华.PECVD SiO2薄膜应力特性的研究[J].固体电子学研究与进展,1989(02):186.
[14] Vink T J;Walrave W;Daams J L C et al.[J].Thin Solid Films,1995,266:145.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%