Ge纳米点/Si纳米线复合结构制备及微结构特征分析

功能材料, 2010, 41(8): 1332-1335.

Ge纳米点/Si纳米线复合结构制备及微结构特征分析

叶敏华 ^1, , 王丁迪 ^2, , 徐子敬 ^3, , 濮林 ^4, , 施毅 ^5, , 韩民 ^6, , 张荣 ^7, , 郑有炓 ^8,

1.南京大学,物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093

2.南京大学,物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093

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基金项目: 国家重大基础研究发展计划(973计划)资助项目(2007CB936300) 江苏省自然科学基金(BK2008025) 国家自然科学基金(60706019;60990314;6072106;6099031)

关键词：纳米点 , 纳米线 , 制备 , 微结构

Fabrication and characterization of Ge nanodot/Si nanowire composite structures

结合金属纳米颗粒辅助化学刻蚀法制备Si纳米线和低压化学气相外延自组织生长Ge纳米点制备了Ge纳米点/Si纳米线复合结构,采用电子显微镜、微区原子力/拉曼联合测试系统进行了微结构表征.Ge纳米点基本均匀地分布于Si纳米线上,通过改变生长参数可有效控制Ge纳米点的尺寸和密度.在非常扁薄的无支撑的纳米点/线复合结构中,由于应力和热效应的作用使Si和Ge的拉曼散射特征峰发生了较大的红移.

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