在不同时间下退火对非晶硅薄膜晶化的影响

材料导报, 2008, 22(z3): 209-210.

1.南阳理工学院太阳能电池研究所,南阳,473004;郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052

2.南阳理工学院太阳能电池研究所,南阳,473004

3.南阳理工学院太阳能电池研究所,南阳,473004

4.南阳理工学院太阳能电池研究所,南阳,473004

5.郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052

Investigations on Effect of Annealing on Crystallization of Amorphous Silicon Films at Different Times

用玻璃作衬底在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si∶H)薄膜,在400℃和500℃分别光退火5min、10min、20min、30min、40min、60min、120min,用拉曼光谱分析前后样品,发现随着晶化时间的延长晶化效果越好,500℃退火的薄膜比400℃的晶化效果好.

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