Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池二极管特性的研究

人工晶体学报, 2009, 38(2): 455-459.

Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池二极管特性的研究

刘芳芳 ^1, , 孙云 ^2, , 张力 ^3, , 何青 ^4, , 李长健 ^5,

1.南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071

2.南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071

3.南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071

4.南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071

5.南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(2001AA513020)

关键词： Cu(In,Ga)Se2 , 太阳电池 , 品质因子 , 反向饱和电流 , 二极管特性

Study on the Diode Characteristics of Cu(In,Ga)Se2 Thin Film Solar Cells

本文采用线性拟合光态和暗态J-V(电流-电压)曲线的方法计算了不同效率的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的二极管性能参数.在一定范围内,CIGS薄膜电池的二极管品质因子A和反向饱和电流J0值越小,电池的转换效率越高,这说明CIGS电池的复合主要发生在PN结区内.量子效率分析表明,不同效率的CIGS电池在短波区(λ<520 nm)的光谱响应相差不大,而在长波区(520～1100 nm),低效率电池存在很大的吸收,这是由低质量的CIGS吸收层造成的.这进一步验证了光-暗态J-V曲线的分析结果,即高质量的吸收层是制备CIGS电池的关键.

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