硼硅玻璃与硅阳极键合界面形成机理分析

功能材料, 2006, 37(9): 1369-1371.

1.太原理工大学,材料科学与工程学院,山西,太原,030024

2.太原理工大学,材料科学与工程学院,山西,太原,030024

3.太原理工大学,材料科学与工程学院,山西,太原,030024

4.太原理工大学,材料科学与工程学院,山西,太原,030024

5.太原理工大学,材料科学与工程学院,山西,太原,030024

基金项目: 山西省自然科学基金(20031051) 国家自然科学基金(50375105)

The mechanisms of anodic bonding between borosilicate glass and silicon

对硼硅玻璃与硅进行了阳极键合实验,通过扫描电镜对键合界面的微观结构进行分析表明:玻璃/硅的键合界面有明显的中间过渡层生成;分析认为电场力作用下玻璃耗尽层中的氧负离子向界面迁移扩散并与硅发生氧化反应是形成中间过渡层的主要原因,而界面过渡层的形成是硅/玻璃界面键合实现永久连接的直接原因.

[1]	格雷戈里 T A 科瓦奇;张文栋.微传感器与微执行器全书[M].北京:科学出版社,2003
[2]	Wallis G D;Pomerantz D I .[J].Journal of Applied Physics,1969,40:3946-3948.
[3]	Despont M;Gross H .[J].Sensors and Actuators A-physical,1996,55:219-224.
[4]	孟庆森,张莉娜,喻萍,薛锦.硼硅玻璃与单晶硅场致扩散连接形成机理分析[J].材料热处理学报,2001(04):17-20.
[5]	Kreissig U.;Lange K.;Nitzsche P.;Schmidt B.;Grigull S. .In situ ERDA studies of ion drift processes during anodic bonding of alkali-borosilicate glass to metal[J].Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms,1998(0):674-679.
[6]	Xing Q F;Yoshida M;Sasaki G .[J].Scripta Materialia,2002,47:577-582.
[7]	Briand D;Weber P;de Rooij NF .Bonding properties of metals anodically bonded to glass[J].Sensors and Actuators, A. Physical,2004(2/3):543-549.
[8]	Shoji S.;Torigoe H.;Kikuchi H. .Low-temperature anodic bonding using lithium aluminosilicate-beta-quartz glass ceramic[J].Sensors and Actuators, A. Physical,1998(1):95-100.

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