GaN MOCVD生长机制的量子化学计算

材料导报, 2007, 21(9): 127-129.

GaN MOCVD生长机制的量子化学计算

张禹 ^1, , 王克昌 ^2, , 张荣 ^3, , 谢自力 ^4, , 韩平 ^5,

1.南京大学物理系,南京,210093;江苏省光电功能材料重点实验室,南京,210093;北京科技大学物理系,北京,100083

2.北京科技大学物理系,北京,100083

3.南京大学物理系,南京,210093;江苏省光电功能材料重点实验室,南京,210093

4.南京大学物理系,南京,210093;江苏省光电功能材料重点实验室,南京,210093

5.南京大学物理系,南京,210093;江苏省光电功能材料重点实验室,南京,210093

基金项目: 江苏省自然科学基金(BK2005210) 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2006CB6049) 教育部高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004) 国家自然科学基金(60421003) 国家高技术研究发展计划(863计划)(2006AA03A142;2006AA03A118;2006AA03A103) 北京科技大学校科研和教改项目(20050600190) 教育部科学技术研究项目(10416) 国家自然科学基金(60676057)

关键词： GaN , MOCVD , 量子化学计算 , 生长模型

Quantum Chemistry Calculation of GaN Growth Mechanism by MOCVD

综述了近年来利用量子化学计算方法对GaN MOCVD生长机制的研究,详细阐述了近年文献报道的一些GaN MOCVD的生长模型,总结了利用不同生长模型进行计算得出的结果.研究表明,通过对GaN生长模型进行量子化学计算,可以提供GaN生长过程中详细的化学反应信息,对进一步了解GaN MOCVD生长的微观机制具有重要的意义.

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