Mg2Si与掺杂系列的电子结构与热电性能研究

功能材料, 2004, 35(z1): 1154-1159.

1.武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070

2.武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070

3.武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070

基金项目: 国家自然科学基金(20271040)

Electronic structure and thermoelectric property of Mg2Si and series of doping Sb, Te and Ag

用离散变分密度泛函分子轨道方法(DFT-DVM)计算了Mg2Si与掺Sb,Te和Ag系列,讨论了电子结构与热电性能之间的关系.掺杂使得离子键和共价键强度降低,在费米能级附近的能隙变小,从而提高材料电导率,降低材料热导率,优化了材料的热电性能.以上结论与实验结果一致.

[1]	Yasutoshi N;Hiroyu K .Preparation and thermoelectric properties of Mg2Si1-xGex(x=0-0.4) solid solution semiconductors[J].Materials Transactions,1992,33(09):845-850.
[2]	肖慎修;王崇愚;陈天朗.密度泛函理论的离散变分方法在化学和材料物理学中的应用[M].北京:科学出版社,1998:1-273.
[3]	姜洪义 .Mg-Si基化合物的固相反应合成、材料制备及其热电性能研究[D].武汉理工大学,2003.

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