n型Si侧蚀的电学机理研究

1.上海师范大学光电子材料与器件重点实验室

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基金项目: 2、上海市科委创新项目“欧姆接触高温稳定性研究？(13ZZ108) 1、973计划预研专项“超快大功率碳化硅光导开关关键科学问题研究(2012CB326402) 3、上海市科学技术委员会重点“碳化硅高温压力传感器设计及工艺开发(13520502700)

The Electronic Mechanism of n-Si Side-wall Etching

本文利用电化学刻蚀的方法在n型Si衬底上制备了不同形貌的多孔硅.扫描电子显微镜观察发现不同刻蚀条件制备的样品呈现腐蚀程度不同但腐蚀方向相同的侧向腐蚀.实验和理论分析表明适当电注入的空穴浓度是形成光滑孔壁的关键,过量注入的空穴在侧壁形成耗尽层,促使体硅少子漂移是侧向腐蚀的主要原因.

[1]	陈乾旺.多孔硅研究的新进展[J].电子显微学报,1997(04):493.
[2]	Korotcenkov, G.;Cho, B.K. .Silicon porosification: State of the art[J].Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences,2010(3):153-260.
[3]	Trifonov T;Rodriguez A;Marsal LF;Pallares J;Alcubilla R .Macroporous silicon: A versatile material for 3D structure fabrication[J].Sensors and Actuators, A. Physical,2008(2):662-669.

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