用于电光器件的硅酸镓镧单晶生长

功能材料, 2004, 35(z1): 137-140.

1.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

2.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

3.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

4.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

5.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

6.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

7.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

Growth of langasite single crystals used for electrooptical Q-Switch

在综述LGS晶体多功能应用的基础上,提出了生长适用于电光器件高质量LGS晶体的要求.在大量实验的基础上,总结了采用提拉法,在富Ga2O3的熔体中,调节平肩、平界面生长高质量晶体的条件.

[1]	Kaminsky A A;Sarkisov S E .[J].Reports of the USSR Academy of Science,1982,264(01):93.
[2]	Kaminsky A A;Mill B V;Khodzhabagyan G G et al.[J].Physica Status Solidi A,1983,80:387.
[3]	Kaminsky A A;Silvestrova I M;Sarkisov S E et al.[J].Physica Status Solidi A,1983,80:607.
[4]	Kaminsky A A;Belokoneva E L;Mill B V et al.[J].Physica Status Solidi A,1984,86:345.
[5]	Andreev A I;Koubvik M F .[J].Letters to J Theory Physics,1984,10(08):487.
[6]	Satoshivda;Oleg Buzahov .Growth of langasite crystal with clear faceting[J].Journal of Crystal Growth,2000,211:318.
[7]	Sade J;Bohaty L;Hengst M et al.Electro optic, piezoelectric and dielectric properties of langasite, langanite and langataite[J].Crystal Research and Technology,2002,37(10):1113.
[8]	Hiroaki Takeda;Makoto Kumatoriya;Tadashi Shiosaki .Effect of alumium substitution in La3Ga5SiO14 crystal on their structure and piezoelectricity[J].Applied Physics Letters,2001,79(25):401.
[9]	Yin Xin;Wang Jiyang;Zhang Huijing et al.Electro optic properties and electro optic Q-switch of La3Ga5SiO14 single crystal[J].Japanese Journal of Applied Physics,2002,41(12):7419.

上一张下一张

计量

作者相关

文章评分