氟化非晶碳薄膜的低频介电性质分析

功能材料, 2004, 35(3): 338-340.

氟化非晶碳薄膜的低频介电性质分析

叶超 ^1, , 宁兆元 ^2, , 程珊华 ^3, , 辛煜 ^4, , 许圣华 ^5,

1.苏州大学,物理科学与技术学院,江苏,苏州,215006

2.苏州大学,物理科学与技术学院,江苏,苏州,215006

3.苏州大学,物理科学与技术学院,江苏,苏州,215006

4.苏州大学,物理科学与技术学院,江苏,苏州,215006

5.苏州大学,物理科学与技术学院,江苏,苏州,215006

基金项目: 江苏省重点实验室基金(KJS01012) 国家自然科学基金(10175048)

关键词：氟化非晶碳(a-C:F)薄膜 , 介电色散 , 键结构

Dielectric properties of fluorinated amorphous carbon thin films

研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的低频(102～106Hz)介电性质.发现a-C:F薄膜的低频介电色散随源气体CHF3/C6H6的比例、微波入射功率而改变.结合薄膜键结构的红外分析,发现薄膜中C=C相对含量的增大是导致低频介电色散增强的原因,而C-F相对含量的增大则使低频介电色散减弱.

参考文献

[1]	Lee W W;Ho P S .[J].Materials Research Bulletin,1997,10:19.
[2]	Endo K .[J].Materials Research Bulletin,1997,10:55.
[3]	Theil J A .[J].Journal of Vacuum Science and Technology B:Microelectronics and Nanometer Structures,1999,17:2397.
[4]	Yang H;Tweet D J;Ma Y et al.[J].Applied Physics Letters,1998,73:1514.
[5]	Labelle C B;Gleason K K .[J].Journal of Vacuum Science and Technology A-Vacuum Surfaces and Films,1999,17:445.
[6]	Wang X et al.[J].Journal of Applied Physics,2000,87:621.
[7]	Yi J W;Lee Y H;Farouk B .[J].Thin Solid Films,2000,374:103.
[8]	叶超,宁兆元,程珊华,康健.微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法沉积氟化非晶碳薄膜的研究[J].物理学报,2001(04):784-789.
[9]	宁兆元,程珊华,叶超.电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积a-CFx薄膜的化学键结构[J].物理学报,2001(03):566-571.
[10]	辛煜,宁兆元,程珊华,陆新华,甘肇强,黄松.ECR-CVD法制备的a-C：F：H薄膜在 N2气氛中的热退火研究[J].物理学报,2002(02):439-443.
[11]	Endo K;Shinoda K;Tatsumi T .[J].Journal of Applied Physics,1999,86:2739.
[12]	Gonon P;Sylvestre A .[J].Journal of Applied Physics,2002,92:4584.
[13]	Robertson T;Morrison D T .[J].THIN SOLID FILMS,1975,27:19.
[14]	Romanko L A;Gontar A G;Kutsay A M et al.[J].Diamond and Related Materials,2000,9:801.
[15]	殷之文.电介质物理学(第二版)[M].北京:科学出版社,2003
[16]	叶超;宁兆元;程珊华等.[J].物理学报,2004,53

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