表面覆铪改善碳纳米管膜发射性能

功能材料, 2006, 37(4): 624-626.

1.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

2.中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050

3.中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050

4.中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050

5.中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050

6.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

基金项目: 科技部科研项目(G20000000672-2)

Improved field emission of carbon nanotubes by hafnium coating

研究了表面沉积铪膜并进行后处理对碳纳米管膜场电子发射性能的影响.研究结果表明在适当的退火温度下碳纳米管表面形成了碳化铪,并显著提高了碳纳米管的发射电流密度、发射均匀性和发射稳定性.我们认为碳纳米管表面发射性能的提高归功于表面碳化铪膜良好的导电性、化学惰性和低逸出功.

[1]	Wadhawan A;Stallcup R E;Perez J M .[J].Applied Physics Letters,2001,78:108-110.
[2]	Bonard J M;Kurt R;Klinke C .[J].Cem Phys Lett,2001,343:21-27.
[3]	Zhang Jihua;Wang Xi;Yu Weidong et al.[J].Solid State Communications,2003,127:289-293.
[4]	Zhang Jihua;Feng Tao;Yu Weidong et al.[J].Diamond and Related Materials,2004,14:54-59.
[5]	Wei Yi;Chalamala B R;Rossi G et al.[J].Journal of Vacuum Science and Technology B:Microelectronics and Nanometer Structures,2001,19:42-46.
[6]	Mackie W A;Morrissey J L;Hinrichs C H .[J].Journal of Vacuum Science and Technology A-Vacuum Surfaces and Films,1992,10:2852-2862.
[7]	Sato T;Yamamoto S .[J].Journal of Vacuum Science and Technology B:Microelectronics and Nanometer Structures,2003,21:1589-1593.
[8]	Zeima S;Adechi H;Shibata Y .[J].Journal of Vacuum Science and Technology B:Microelectronics and Nanometer Structures,1984,2:73-78.
[9]	Ramprasad R.;Fonseca LRC.;von Allmen P. .Contributions to the work function: A density-functional study of adsorbates at graphene ribbon edges[J].Physical Review.B.Condensed Matter,1999(8):6023-6027.
[10]	Bonard J M;Maier F;Stockli T et al.[J].Ultramicroscopy,1998,73:9-14.
[11]	Dean K A;Chalamala B R .[J].Applied Physics Letters,1999,75:3017-3019.

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