气氛氧压对脉冲激光法制备的CeO2/Si薄膜的结晶取向的影响

功能材料, 2000, 31(2): 159-161.

气氛氧压对脉冲激光法制备的CeO2/Si薄膜的结晶取向的影响

李美亚 ^1, , 王忠烈 ^2, , 范守善 ^3, , 赵清太 ^4, , 熊光成 ^5, , 林揆训 ^6,

1.汕头大学科学院材料所,广东汕头,515063;北京大学物理系

2.微电子研究所,北京,100871

3.清华大学物理系,北京,100084

4.微电子研究所,北京,100871

5.北京大学物理系

6.汕头大学科学院材料所,广东汕头,515063

基金项目: 中国科学院资助项目(19574003)

关键词： CeO2薄膜 , 结晶取向 , 脉冲激光沉积 , 气氛氧压

Influences of Ambient Oxygen Pressures on the Crystalline Orientation of CeO2/Si Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition

用脉冲激光镀膜法,在不同的温度和氧压条件下,在Si(100)片上制备了一系列的CeO2膜.X射线衍射分析表明,在较低的氧压下生长的CeO2膜为(111)取向,在较高的氧压下生长的膜则为(100)取向.研究表明,CeO2膜的取向对氧压显示了独特的依赖性,氧压对控制膜的结晶取向具有十分重要的作用.讨论了氧压对CeO2薄膜结晶取向影响的可能机理.

参考文献

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Influences of Ambient Oxygen Pressures on the Crystalline Orientation of CeO2/Si Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition

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