在SOI材料上制备高质量的氧化铪薄膜

功能材料, 2004, 35(6): 736-738.

在SOI材料上制备高质量的氧化铪薄膜

邢玉梅 ^1, , 陶凯 ^2, , 俞跃辉 ^3, , 郑志宏 ^4, , 杨文伟 ^5, , 宋朝瑞 ^6, , 沈达身 ^7,

1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,离子束重点实验室,上海,200050

2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,离子束重点实验室,上海,200050

3.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,离子束重点实验室,上海,200050

4.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,离子束重点实验室,上海,200050

5.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,离子束重点实验室,上海,200050

6.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,离子束重点实验室,上海,200050

7.美国阿拉巴马大学,电子与计算机工程系,亨茨维尔,AL,35899,美国

基金项目: 美国国家自然科学基金(INT-0004547)

关键词： SOI材料 , 氧化铪 , 薄膜

Preparation of high-quality HfO2 thin films on SOI materials

用电子束蒸发氧化铪靶的方法,在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃,300s).借助掠角X射线衍射(GAXRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电镜(HRTEM)技术分析了样品的微观结构,研究了样品在退火前后发生的组成及结构变化,结果表明退火后氧化铪薄膜由退火前的非晶态转变为单斜结构的多晶态,薄膜中的O/Hf原子比较退火前更接近化学计量比2.借助扩展电阻探针(SRP)技术考察了退火前后薄膜的电学性能,证明在SOI材料上制备的多晶氧化铪薄膜同样具有较好的电介质绝缘性能.

参考文献

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