基片温度对铌掺杂ITO透明导电薄膜性能的影响

稀有金属材料与工程, 2013, 42(5): 1043-1047.

基片温度对铌掺杂ITO透明导电薄膜性能的影响

马春红 ^1, , 马瑞新 ^2, , 李士娜 ^3, , 扈百直 ^4, , 钟景明 ^5, , 朱鸿民 ^6,

1.北京科技大学,北京100083;西北稀有金属材料研究院,宁夏石嘴山753000

2.北京科技大学,北京100083

3.北京科技大学,北京100083

4.国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心,宁夏石嘴山753000

5.国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心,宁夏石嘴山753000;西北稀有金属材料研究院,宁夏石嘴山753000

6.北京科技大学,北京100083

关键词：掺铌ITO , 透明导电薄膜 , 基片温度 , 性能

Effects of Substrate Temperature on the Properties of Nb-Doped ITO Thin Films

Ma Chunhong ^1, , Ma Ruixin ^2, , Li Shina ^3, , Hu Baizhi ^4, , Zhong Jingming ^5, , Zhu Hongmin ^6,

1.北京科技大学,北京100083;西北稀有金属材料研究院,宁夏石嘴山753000

2.北京科技大学,北京100083

3.北京科技大学,北京100083

4.国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心,宁夏石嘴山753000

5.国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心,宁夏石嘴山753000;西北稀有金属材料研究院,宁夏石嘴山753000

6.北京科技大学,北京100083

Keywords： Nb doped ITO , transparent conductive thin films , substrate temperature , properties

采用磁控溅射法以铌(Nb)掺杂氧化铟锡(ITO)为靶材制备了厚度为300 nm的ITO:Nb薄膜,研究了不同基底温度下,薄膜的结构、导电性和可见光区的透过率.XRD分析表明所制备的ITO:Nb薄膜均为In2O3相；AFM显示ITO:Nb薄膜的均方根粗糙度随着温度的升高逐渐变大;薄膜的电阻率随着温度的升高逐渐减小,在300℃时得到最小值1.2× 10-4Ω·cm.电阻率下降主要是因为霍耳迁移率增大和载流子浓度逐渐增加.ITO:Nb薄膜在可见光内的平均透过率均大于87％,且随着温度的升高,吸收边发生“红移”,禁带宽度逐渐增加.

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