为了研究硅单晶直拉法生长过程中双空洞的长大动力学以及空洞间的相互作用机理,采用已建立的空洞演化的相场模型及其应用程序,模拟研究了直拉硅单晶生长过程中双空洞演化和相关因素的影响规律.结果表明:所建相场模型能够有效地模拟基体中空位扩散和双空洞长大的过程;双空洞长大趋势随着模拟时间和初始空位浓度的增强而加强;随着空洞初始中心间距的增加和初始空位浓度的减小,双空洞长大由相互融合模式转变为独立长大模式.
参考文献
| [1] | Voronkov VV.;Falster R. .Vacancy-type microdefect formation in Czochralski silicon[J].Journal of Crystal Growth,1998(1):76-88. |
| [2] | Kulkarni MS;Voronkov V;Falster R .Quantification of defect dynamics in unsteady-state and steady-state Czochralski growth of monocrystalline silicon[J].Journal of the Electrochemical Society,2004(10):G663-G678. |
| [3] | Talid Sinno;Robert A. Brown .Modeling microdefect formation in czochralski silicon[J].Journal of the Electrochemical Society,1999(6):2300-2312. |
| [4] | Dai, J;Seider, WD;Sinno, T .A lattice kinetic Monte Carlo study of void morphological evolution during silicon crystal growth[J].Molecular Simulation,2007(9/10):733-745. |
| [5] | 王进,关小军,曾庆凯,张向宇.硅单晶中空位团形成能的分子动力学模拟[J].人工晶体学报,2013(03):413-417,422. |
| [6] | 曾庆凯,关小军,潘忠奔,张怀金,王丽君,禹宝军,刘千千.直拉单晶硅生长时空洞演化的相场模拟[J].人工晶体学报,2012(04):888-895. |
| [7] | 张向宇,关小军,曾庆凯,潘忠奔,张怀金,王进.平均空位径向扩散通量对直拉硅单晶空洞演化影响的相场模拟[J].徐州工程学院学报（自然科学版）,2013(02):41-45. |
| [8] | 张向宇,关小军,潘忠奔,张怀金,曾庆凯,王进.热屏位置对直拉硅单晶V/G、点缺陷和热应力影响的模拟[J].人工晶体学报,2014(04):771-777. |
| [9] | Y. M. Jin;Y. U. Wang;A. G. Khachaturyan .Three-dimensional phase field microelasticity theory and modeling of multiple cracks and voids[J].Applied physics letters,2001(19):3071-3073. |
| [10] | Hu, SY;Henager, CH .Phase-field modeling of void lattice formation under irradiation[J].Journal of Nuclear Materials: Materials Aspects of Fission and Fusion,2009(2/3):155-159. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%