在电子工业中,为了制备低电阻率的A1合金薄膜,需要对薄膜进行退火.虽然材料的电阻率与其电输运性能密切相关,然而到目前为止,对于铝合金薄膜的电输运性能研究甚少.本实验首先利用TEM对于磁控溅射铝合金薄膜的结构,特别是对其与基底界面处的结构进行了表征.在此基础上,利用霍尔效应测试了解界面状态的变化对于霍尔载流子浓度及迁移率的影响.结果表明,在退火过程中,薄膜与基底之间通过扩散形成紧密接触,从而使得合金薄膜同时具有较高的载流子浓度以及载流子迁移率.最后,利用一个新提出的能带模型,解释所观察到的界面变化对于电导率的影响.
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