欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

以(100)硅片为衬底,通过双离子束溅射生长不同厚度的Cu纳米薄膜.利用原子力显微镜及椭偏仪对样品进行分析和研究.结果表明:离子束在斜入射45°的条件下溅射,原子通量的峰值与法线夹角约为15.1°,膜厚度按照余弦五次方分布,并给出了法线两边对称分布薄膜的表面粗糙度变化公式.研究表明双离子束溅射制备的薄膜优于其他方法生长的薄膜,膜的表面平整度、厚度均匀性更好.

参考文献

[1] 柳襄怀,李昌荣,郑志宏,杨根庆,王曦,邹世昌.离子束薄膜合成及其应用[J].功能材料与器件学报,2001(02):113-115.
[2] Glickman E.;Nathan M. .ON THE UNUSUAL ELECTROMIGRATION BEHAVIOR OF COPPER INTERCONNECTS[J].Journal of Applied Physics,1996(7):3782-3791.
[3] G. Schneider;D. Hambach;B. Niemann;B. Kaulich;J. Susini;N. Hoffmann;W. Hasse .In situ x-ray microscopic observation of the electromigration in passivated Cu interconnects[J].Applied physics letters,2001(13):1936-1938.
[4] 何丽静,林晓娉,王铁宝,刘春阳.单晶Si表面离子束溅射沉积Co纳米薄膜的研究[J].物理学报,2007(12):7158-7164.
[5] 范平,易葵,邵建达,齐红基,范正修.Co和Cu薄膜电学特性和连续性特征的判据[J].中国有色金属学报,2006(04):651-656.
[6] Eckertoval L.薄膜物理学[M].北京:科学出版社,1986:53.
[7] 安霞 .磁控溅射法制备碳化硅薄膜的特性研究[D].山东师范大学,2002.
[8] Roberrt S .Optical properties of copper[J].Physical Review,1960,118(06):1509.
[9] Hermann J;Benfarah M;Bruneau S;Axente E;Coustillier G;Itina T;Guillemoles JF;Alloncle P .Comparative investigation of solar cell thin film processing using nanosecond and femtosecond lasers[J].Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal,2006(3):453-460.
[10] Fowley, C.;Diao, Z.;Faulkner, C.C.;Kally, J.;Ackland, K.;Behan, G.;Zhang, H.Z.;Deac, A.M.;Coey, J.M.D. .Local modification of magnetic anisotropy and ion milling of Co/Pt multilayers using a He~+ ion beam microscope[J].Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal,2013(19):195501-1-195501-6.
[11] 张庆瑜 .Boltzmann输运方程在计算注入粒子和反冲粒子分布中的应用[J].自然科学进展-国家重点实验室通讯,1993,3(02):153.
[12] 王传新,汪建华,马志斌,满卫东,王升高.等离子体技术在提高硬质合金工具上金刚石薄膜附着力方面的应用[J].金刚石与磨料磨具工程,2005(02):10-13,17.
[13] 刘金声.离子束沉积薄膜技术及应用[M].北京:国防工业出版社,2003:61.
[14] 田民波;李正操.薄膜技术与薄膜材料[M].北京:清华大学出版社,2011:117.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%