Ti5Si3电极层表面沉积BST薄膜及其介电性能研究

稀有金属材料与工程, 2008, 37(z1): 455-458.

Ti5Si3电极层表面沉积BST薄膜及其介电性能研究

任招娣 ^1, , 杜丕一 ^2, , 徐铭 ^3, , 翁文剑 ^4, , 韩高荣 ^5, , 沈鸽 ^6,

1.浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027

2.浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027

3.浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027

4.浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027

5.浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027

6.浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027

基金项目: 国家自然科学基金(50672084)

关键词：溶胶-凝胶 , BST , Ti5Si3 , 结晶

Preparation and Dielectric Properties of BST Films Deposited on Ti5Si3 Electrode Layer

使用溶胶-凝胶法在涂覆有Ti5Si3电极层的玻璃基板上成功制备了Ba/Sr为6:4的BST薄膜,并对该薄膜在600℃进行了热处理.使用XRD,阻抗分析仪对薄膜进行了测试,研究了不同热处理条件对薄膜介电性能的影响.结果表明,由于非氧化物Ti5Si3电极层中氧空位等缺陷含量少,因此可成功制备缺陷少,质量良好的BST薄膜.快速升温可得到的薄膜晶相含量较多,多次重复热处理使薄膜中晶相的缺陷相对较少;控制薄膜的热处理条件,可以控制薄膜的电容和损耗.

参考文献

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