对氧化铟掺杂SnCoNb压敏电阻性能的研究

功能材料, 2004, 35(1): 71-76.

对氧化铟掺杂SnCoNb压敏电阻性能的研究

王文新 ^1, , 王矜奉 ^2, , 陈洪存 ^3, , 苏文斌 ^4, , 臧国忠 ^5, , 王春明 ^6, , 亓鹏 ^7,

1.山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100

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基金项目: 国家自然科学基金(50072013)

关键词：压敏材料 , 非线性系数 , 二氧化锡 , 电学性能

Investigation on the properties of In2O3-doped SnCoNb varistors

通过实验对三氧化二铟掺杂的SnO2*Co2O3*Nb2O5压敏电阻的性能进行了研究.所用样品是在1350℃下烧结1h而制成的.实验发现所有样品都具有很高的致密度(相对密度不小于97.6%),这主要是由于Co2O3影响陶瓷的烧结过程造成的.当In2O3掺杂量为0.05mol%时,压敏电阻具有最高的非线性系数(α=19.3).随着In2O3掺杂量的从0.00mol%增加至0.10mol%,非线性电场强度从213V/mm增加至815V/mm,而平均晶粒尺寸从6.6μm减小至4.9μm,非线性电场的增加与平均晶粒尺寸的减小密切相关;样品的相对介电常数也从2307减小至153,这归因于平均晶粒尺寸与势垒厚度比的减小.

参考文献

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