采用高放热反应且摩尔比为1∶1的镍-铝二元系作为焊料,利用微波引燃的方法使体系以内部加热的方式迅速升温到燃烧温度并发生自蔓延高温合成反应,最终实现化学气相沉积碳化硅陶瓷(CVD SiC)的连接,研究不同反应产物对连接强度的影响规律.研究表明:反应层平均厚度约300 μm,反应产物与碳化硅基体之间的界面结合良好,但接头内存在着大量气孔,致密度较低.母材与中间层产物的热错配应力问题使接头界面处存在大量微裂纹.由于自蔓延连接的复杂性与高度不平衡性使反应产物较难控制,接头断面的XRD结果表明不同接头中生成了不同相的镍-铝系金属间化合物以及氧化物,但均未检测到残余单质Ni或Al.氧化物的出现会极大影响接头的剪切强度,导致试样接头强度的数值偏差较大.
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