以磁控溅射+自组装反应方式制备GaN薄膜

稀有金属材料与工程, 2006, 35(3): 463-466.

以磁控溅射+自组装反应方式制备GaN薄膜

薛成山 ^1, , 董志华 ^2, , 庄惠照 ^3, , 王书运 ^4, , 高海永 ^5, , 田德恒 ^6, , 吴玉新 ^7,

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基金项目: 中国科学院资助项目(90201025,90301002)

关键词：射频磁控溅射 , 自组装 , 中间层 , SiC

Preparation of GaN Films with the Method of Magnetron Sputtering + Self-Assembly Reaction Mode

为了用简单的方法得到GaN薄膜,以射频磁控溅射方法将Ga2O3薄膜沉积到Si(111)衬底上的SiC中间层上,通过其同NH3的自组装反应形成了GaN薄膜.同样,利用磁控溅射方法把SiC层沉积到Si衬底.其目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬底的晶格失配造成的应力.为了比较中间层的作用,对按照两种方案(使用中间层和不使用中间层)实验样品进行了测试和比较.实验结果证实了SiC中间层提高了GaN薄膜的质量.

参考文献

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