透氧膜法由SiO2直接制备Si

材料科学与工艺, 2011, 19(2): 113-117.

透氧膜法由SiO2直接制备Si

赵炳建 ^1, , 鲁雄刚 ^2, , 邹星礼 ^3, , 谷山林 ^4, , 陶伟 ^5,

1.上海大学,上海市现代冶金与材料制备重点实验室,上海200072;河北钢铁集团唐山钢铁股份有限公司,河北唐山063016

2.上海大学,上海市现代冶金与材料制备重点实验室,上海200072

3.上海大学,上海市现代冶金与材料制备重点实验室,上海200072

4.上海大学,上海市现代冶金与材料制备重点实验室,上海200072

5.上海大学,上海市现代冶金与材料制备重点实验室,上海200072

基金项目: 上海大学研究生创新基金资助资助(SHUCXl01052) 国家自然科学基金资助项目(51074105) 国家重点基础研究发展计划资助项目(2007CB613606)

关键词：透氧膜 , 电解 , 硅 , 熔盐

Direct preparation of Si from SiO2 by SOM process

为改变硅生产工艺高污染、高能耗的现状,研究了在CaCl2熔盐中利用固体透氧膜法(SOM)直接电解SiO2制备单质Si,考察了电解电压、电解时间、熔盐温度等参数对电解效果的影响,采用电子扫描显微镜和X射线衍射分析了电解产物形貌及相组成.结果表明:1100℃熔盐中,3.5 V电压下电解2 h,可制得纯Si,电流效率为89%,能耗为15 kW·h/kg;电解中间产物相分析表明,电解过程中有CaSiO3生成,CaSiO3脱氧生成Ca、Si;相比FFC法,SOM法可缩短50%反应时间,因此具有更好的工业化应用前景.

参考文献

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