等离子辅助电子束蒸发La2O3薄膜的制备

稀有金属材料与工程, 2007, 36(z1): 928-930.

等离子辅助电子束蒸发La2O3薄膜的制备

杨陈 ^1, , 樊慧庆 ^2, , 焦岗成 ^3, , 惠迎雪 ^4,

1.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072

2.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072

3.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072

4.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072

基金项目: 高等学校博士学科点专项科研项目(20050699011) 教育部新世纪人才基金(NCET-05-0871) 国家自然科学基金(50672075) 陕西省西安市科技攻关项目(GG05015;GG06023)

关键词： La2O3薄膜 , 等离子辅助电子束蒸发 , 薄膜结构 , I-V特性 , 透过率

Preparation of La2O3 Films by Ion Beam Assistant E-Beam Evaporation

采用等离子辅助电子束蒸发,在Si(100)衬底上沉积La2O3薄膜.随后对非晶的沉积态薄膜在750℃和900℃分别退火1 h.实验结果表明,采用等离子辅助电子束蒸发,可以获得非晶态的La2O3薄膜;经750℃热处理后,薄膜部分晶化;经900℃热处理后,薄膜显著晶化,晶粒尺寸明显增大,并沿(002)方向择优取向.对薄膜I-V特性的测量结果表明,沉积态薄膜具有较小的漏电流,但随着热处理温度升高,薄膜晶化程度提高,薄膜漏电流逐渐增大;对薄膜透过率的测量结果表明,单面抛光的Si衬底上沉积La2O3薄膜,在近红外范围内有明显的增透效果,最大可达20%左右.

参考文献

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