利用开管扩散方式,使Ga在Si中的浓度分布服从高斯函数形式,用于快速晶闸管的制造.由理论与实践得出:P1,P2区Ga的缓变分布及其与N1区低杂质浓度的匹配,有效保证了快速晶闸管较高的正反向耐压特性;器件结构参数设计与Ga分布的突出特点使磷在J3结处得到一个较大的注入比,同时Ga在短基区获得一个足够高的-σ,改善了器件的通态特性和di/dt耐量;使器件dV/dt耐量达到1000 V/μs.可见开管扩Ga是综合提高快速晶闸管器件电学性能及等级合格率的一种新途径.
参考文献
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