RF-PECVD法在钢衬底上沉积氮化硅薄膜的研究

功能材料, 2008, 39(3): 417-419.

1.浙江理工大学,先进纺织材料与制备技术教育部重点实验室,浙江,杭州,310018;浙江理工大学,材料工程中心,浙江,杭州,310018

2.浙江理工大学,材料工程中心,浙江,杭州,310018

3.浙江理工大学,材料工程中心,浙江,杭州,310018

4.浙江理工大学,材料工程中心,浙江,杭州,310018

5.浙江理工大学,材料工程中心,浙江,杭州,310018

基金项目: 先进纺织材料与制备技术教育部重点实验室优秀青年人才培养基金(2006QN06) 国家自然科学基金(50442025)

Silicon nitride film onto steel substrate prepared by RF-PECVD

采用射频等离子体增强化学气相沉积法(RF-PECVD)在钢衬底上沉积氮化硅薄膜.用台阶仪、X射线光电子能谱(XPS)、透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM)等手段对薄膜的厚度、成分、结构及形貌进行表征,并探讨了各工艺参数对薄膜沉积速率的影响.

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