APCVD方法制备SnO2薄膜的结构和光致发光特性

功能材料, 2004, 35(z1): 1199-1204.

APCVD方法制备SnO2薄膜的结构和光致发光特性

计峰 ^1, , 马瑾 ^2, , 王玉恒 ^3, , 余旭浒 ^4, , 宗福建 ^5, , 程传福 ^6, , 马洪磊 ^7,

1.山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100

2.山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100

3.山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100

4.山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100

5.山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100

6.山东师范大学物理系,山东,济南,250100

7.山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100

基金项目: 教育部科学技术研究项目(20165)

关键词： APCVD , 氧化锡薄膜 , 光致发光

Photoluminescence of SnO2 films prepared by APCVD

采用常压化学气相沉积法(APCVD)在玻璃衬底上制备出SnO2薄膜,对薄膜的结构和光致发光性质及退火处理对薄膜结构和发光特性的影响进行了研究.制备SnO2薄膜为六角金红石结构,最大晶粒尺寸约为1000nm.室温光致发光(PL)谱测量表明,在396nm处存在强的发光峰.研究了退火处理对发光性质的影响,并对辐射机理进行了探索.

参考文献

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Photoluminescence of SnO2 films prepared by APCVD

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