Ti4+掺杂对SnO2基压敏陶瓷电学性能的影响

稀有金属材料与工程, 2007, 36(z2): 174-176.

Ti4+掺杂对SnO2基压敏陶瓷电学性能的影响

段雷 ^1, , 许高杰 ^2, , 蒋俊 ^3, , 王琴 ^4, , 李志祥 ^5, , 李亚丽 ^6, , 李勇 ^7, , 崔平 ^8,

1.中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江,宁波,315040;中国科学院固体物理研究所,材料物理重点实验室,安徽,合肥,230031

2.中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江,宁波,315040

3.中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江,宁波,315040

4.中国科学院固体物理研究所,材料物理重点实验室,安徽,合肥,230031

5.中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江,宁波,315040;中国科学院固体物理研究所,材料物理重点实验室,安徽,合肥,230031

6.中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江,宁波,315040;中国科学院固体物理研究所,材料物理重点实验室,安徽,合肥,230031

7.中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江,宁波,315040;中国科学院固体物理研究所,材料物理重点实验室,安徽,合肥,230031

8.中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江,宁波,315040

关键词：压敏陶瓷 , SnO2 , 非线性 , 肖特基势垒

The Effect of Ti4+ Doping on the Electrical Properties of the SnO2-Based Varistors

研究了TiO2掺杂浓度对SnO2-Bi2O3-Nb2O5-Sb2O3-MnO基压敏陶瓷非线性特性的影响.利用X射线衍射(XRD)与扫描电镜对相组成和微结构的分析表明:TiO2的添加没有新的相生成.随着TiO2含量的增加,密度与晶粒尺寸均明显减小,压敏电压(EB)以及非线性系数(α)随TiO2掺杂量的增加而增加.当掺杂浓度为3%,烧结温度为1250℃时样品具有最高的压敏电压(EB=1169 V/mm)和非线性系数(α=56).

参考文献

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