线型和带型α-Si3N4准一维结构的形成机理和表征

无机材料学报, 2009, 24(1): 65-68.

线型和带型α-Si3N4准一维结构的形成机理和表征

杜雪峰 ^1, , 祝迎春 ^2, , 许钫钫 ^3, , 杨涛 ^4, , 曾毅 ^5, , 沈悦 ^6,

1.上海大学,材料学院,上海,200072;中国科学院,上海硅酸盐研究所,特种无机涂层重点实验室,上海,200052

2.中国科学院,上海硅酸盐研究所,特种无机涂层重点实验室,上海,200052

3.中国科学院,上海硅酸盐研究所,特种无机涂层重点实验室,上海,200052

4.中国科学院,上海硅酸盐研究所,特种无机涂层重点实验室,上海,200052

5.中国科学院,上海硅酸盐研究所,特种无机涂层重点实验室,上海,200052

6.上海大学,材料学院,上海,200072

基金项目: 国家自然科学基金(00200541103100)

关键词：分区沉积 , 线型和带型α-Si3N4 , 准一维结构

Characterization and Growth Mechanism of Wirelike and Beltlike α-Si3N4 Quasi-one-dimension Structures

采用高温氮化合成的热化学方法制备了单晶的线型和带型α-Si3N4准一维结构.其中线型α-Si3N4准一维结构沉积在温度较低的反应区域(1200℃),而带型α-Si3N4准一维结构则沉积在高温原料源附近位置(1450℃).经XRD、SEM、TEM、HRTEM分析表明,制备的线型和带型α-Si3N4准一维结构均为单晶;线型α-Si3N4直径约为100～300nm,长为几十微米;而带型α-Si3N4厚约30nm,宽度在300nm～2μm之间,长度为几微米到几十微米.从晶体生长热力学及动力学方面讨论了线型和带型α-Si3N4准一维结构的生长过程和分区沉积的原因.结果表明,较高的温度和过饱和度有利于形成带型准一维结构.

参考文献

[1]	王君,徐国财,吉小利,等.无机化学学报,2003,19(9):967-970.
[2]	江东亮.精细陶瓷材料.北京:中国物质出版社,2000:87-109.
[3]	Zhang Y J,Wang N L,He R R,et al.J.Cryst.Growth,2001,233(4):803-808.
[4]	Xie T,Wu G S,Geng B Y,et al.Appl.Phys.A,2005,80(5):1057-1059.
[5]	周延春,陈声琦,夏非.人工晶体学报,1994,23(2):151-155.
[6]	Feng A H,Geng L,Zhang J,et al.Mater.Chem.Phys.,2003,82(3):618-621.
[7]	Silva P C,Figueiredo J L.Mater.Chem.Phys.,2001,72(3):326-331.
[8]	Arik H.J.Eur.Ceram.Soc.,2003,23(12):2005.
[9]	Gopalakrishnan P S,Lakshminarsimham P S.J.Mater.Sci.Lett.,1993,12(18):1422-1424.
[10]	Cao Y G,Ge C C,Zhou Z J,et al.J.Mater.Res.,1999,14(3):876-880.
[11]	Zeigenbalg G,Breual U,Ebrecht E,et al.J.Eur.Ceram.Soc.,2001,21(7):947-958.
[12]	李晔,刘艳生,王全玉,等.化学通报,1995,4:24-27.
[13]	Zhang L G,Jin H,Yang W Y,et al.Appl.Phys.Lett.,2005,86(6):061908-1-3.
[14]	Motojima S,Yamana T,Araki T.J.Electrochem.Soc.,1995,142(9):3141-3148.
[15]	Farjas J,Pinyol A,Roura.P,et al.Appl.Phys.Lett.,2005,87(19):192114-1-4.
[16]	Hu J Q,Bando Y,Sekiguchi T,et al.Appl.Phys.Lett.,2004,84(5):804-806.
[17]	Gao Y H,Bando Y,Kurashima K,et al.Microsc.Microanal.,2002,8(1):5-10.
[18]	Yin L W,Bando Y,Zhu Y C,et al.Appl.Phys.Lett.,2003,83(17):3585-3586.
[19]	Yang W Y,Xie Z P,Miao H Z,et al.J.Am.Ceram.Soc.,2005,88(2):466-469.
[20]	Wei Q Q,Xue C S,Sun Z C,et al.Appl.Surf.Sci.,2004,229(1-4):9-12.
[21]	张克从,张乐潓.晶体生长.北京:科学出版社,1981:79-81.
[22]	Shen G Z,Cho J H,Yoo J K,et al.J.Phys.Chem.B,2005,109(19):9294-9298.
[23]	Li Q,Wang C R.Appl.Phys.Lett.,2003,83(2):359 -361.
[24]	Pan Z W,Dai Z R,Wang Z L.Science,2001,291(5510):1947-1949.
[25]	Dong LF,Jiao J,Coulter M,et al.Chem.Phys.Lett.,2003,376(5-6):653-658.

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