Y、V共掺杂CaBi4Ti4O15陶瓷的结构及电性能研究

人工晶体学报, 2015, 44(9): 2390-2393.

Y、V共掺杂CaBi4Ti4O15陶瓷的结构及电性能研究

李丹洋 ^1, , 何新华 ^2, , 符小艺 ^3,

1.华南理工大学材料科学与工程学院,广州,510640

2.华南理工大学材料科学与工程学院,广州,510640

3.华南理工大学材料科学与工程学院,广州,510640

基金项目: 广东省科技计划项目(2007A010500012) 国家自然科学基金(21103052)

关键词： CaBi4Ti4O15 , Y、V共掺杂 , 电导率 , 复阻抗

Structure and Electrical Properties of Yttrium and Vanadium Co-doped CaBi4Ti4O15 Ceramics

Keywords： CaBi4Ti4O15 , Y, V co-doping , conductivity , complex impedance

采用固相烧结法制备了Y、V共掺杂的CaBi4Ti4O15陶瓷(简称CYBTV).Y、V共掺杂有利于陶瓷晶粒沿c轴方向生长,提高瓷体致密度.测量和分析了不同频率下CYBTV陶瓷的交流电导率σ.c和直流电导率σdc随温度(300～ 1150 K)的变化以及陶瓷的复阻抗谱.σac在不同温区表现出不同程度的频率和温度相关性:在低温区,σac随着频率的升高而增大;在高温区,σac随着温度的升高而增大.CBT基材料的复阻抗响应主要与晶粒电阻电容有关,Y、V共掺杂后,陶瓷的晶粒电阻率显著增大,从而导致材料电阻率的提高.

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Y、V共掺杂CaBi4Ti4O15陶瓷的结构及电性能研究

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