研究了不同SiC体积分数(30%～50%)的SiC/MoSi2复合材料低温500℃的氧化性能.结果表明:SiC/MoSi2复合材料在低温(500℃)时具有优异的抗氧化性能,氧化500h没有发生氧化粉化现象.复合材料的氧化增重随SiC体积分数的增加而减少.复合材料表面的抗氧化保护层均匀致密,材料内部缺陷少,材料内部品界没有发生Mo与Si的氧化,材料的抗低温氧化性能得到显著提高.
参考文献
| [1] | 王刚 .抗低温氧化型二硅化钼基复合材料研究[D].中国科学院上海硅酸盐研究所,2004. |
| [2] | 张厚安,刘心宇.Al/MoSi2复合材料的低温氧化行为[J].矿冶工程,2001(04):78-79. |
| [3] | 常春,李木森,陈传中,田雷言.MoSi2高温氧化层的微观结构[J].金属学报,2003(02):126-130. |
| [4] | C. Radtke;I. J. R. Baumvol;J. Morais;F. C. Stedile .Initial stages of SiC oxidation investigated by ion scattering and angle-resolved x-ray photoelectron spectroscopies[J].Applied physics letters,2001(23):3601-3603. |
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