稀土钇掺杂多孔硅光致发光研究

功能材料, 2008, 39(7): 1108-1114.

稀土钇掺杂多孔硅光致发光研究

李锡森 ^1, , 马书懿 ^2, , 孙小菁 ^3, , 蔡利霞 ^4, , 李勇 ^5,

1.西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070

2.西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070

3.西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070

4.西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070

5.西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070

基金项目: 教育部科学技术研究重点项目(204139) 甘肃省重点实验室基金(KF-05-03) 国家自然科学基金(60276015)

关键词：多孔硅 , 稀土钇掺杂 , 光致发光

Study on photoluminescence of porous silicon doped with rare earth element yttrium

采用电化学方法在多孔硅中掺杂了稀土钇(Y)元素.用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性.多孔硅样品在440nm波长激发下,光致发光谱上主发光峰位于620nm,认为其来源于Si-O复合物的发光中心;多孔硅样品在390nm波长激发下,光致发光谱上主发光峰分别位于527和576nm,并且用量子限制/发光中心模型加以解释.钇掺杂多孔硅样品的光致发光强度明显增强,并且在484nm附近出现新的发光峰.分析结果认为,这是由于钇的掺入,在多孔硅禁带中形成了新的表面能级,从而形成新的发光中心的结果.

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