Bi2Se3薄膜及Pb掺杂电子结构变化的第一性原理

稀有金属材料与工程, 2016, 45(11): 2809-2813.

Bi2Se3薄膜及Pb掺杂电子结构变化的第一性原理

陈磊 ^1, , 朱亚波 ^2, , 李延龄 ^3, , 范贺良 ^4, , 赫占军 ^5,

1.中国矿业大学,徐州江苏,221116

2.中国矿业大学,徐州江苏,221116

3.江苏师范大学,徐州江苏,221008

4.中国矿业大学,徐州江苏,221116

5.中国矿业大学,徐州江苏,221116

基金项目: Fundamental Research Funds for the Central Universities (2013XK07)

关键词： Bi2Se3薄膜 , 能带 , 态密度 , 电子结构

First-Principles Investigation on Electronic Structure of Bi2Se3 Thin Film and the Films Doped with Pb

Keywords： Bi2Se3 film , Pb dopant , energy bands , density of states

利用第一性原理平面波赝势方法,研究Bi2Se3从块体到薄膜的电子结构变化特性.通过分析材料的原子位置以及电子间相互作用,具体探讨块体、双层和单层薄膜及单层Pb掺杂薄膜的能带结构、态密度等.计算结果表明,这几种材料的价带和导带主要由原子的p态构成,同时由于Bi (Pb)的6s轨道态对价带顶的影响,它们的带隙类型随着材料结构的变化,发生从直接带隙到间接带隙的转变,此外Pb掺杂单层薄膜后产生的Se(1 /)层对其电子结构的变化有重要影响.

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Bi2Se3薄膜及Pb掺杂电子结构变化的第一性原理

First-Principles Investigation on Electronic Structure of Bi2Se3 Thin Film and the Films Doped with Pb

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