激光脉冲法研究半透明PI/SiO2薄膜的热扩散率

高分子材料科学与工程, 2009, 25(4): 109-115.

激光脉冲法研究半透明PI/SiO2薄膜的热扩散率

陈新贵 ^1, , 郭敬东 ^2, , 王宝全 ^3, , 何冠虎 ^4,

1.中国科学院金属研究所,沈阳材料科学国家,联合,实验室,辽宁,沈阳,110016

2.中国科学院金属研究所,沈阳材料科学国家,联合,实验室,辽宁,沈阳,110016

3.中国科学院金属研究所,沈阳材料科学国家,联合,实验室,辽宁,沈阳,110016

4.中国科学院金属研究所,沈阳材料科学国家,联合,实验室,辽宁,沈阳,110016

基金项目: 国家自然科学基金(50706057)

关键词：激光脉冲法 , 半透明材料 , 热扩散率 , PI/SiO2复合材料

Thermal Diffusivity Research of PI/SiO2 Films by Laser Flash Method

激光脉冲法在应用于测量对实验探测波段红外线半透明的材料热扩散率时遇到了困难.文中提出了新的解决办法:即通过对理论探测曲线进行分析,并通过在实际探测曲线上的升温幅度和特征点计算得到了热扩散率,成功地解决了这一难题.在-73℃～290℃的范围内获得了对激光和红外线都是半透明的聚酰亚胺(PI)薄膜的热扩散率,并研究了室温下PI/SiO2复合材料的热扩散率随SiO2含量的变化规律.

参考文献

[1]	Jurgen Blumm;Jack B Henderson;Ove Nilsson;Jochen Fricke .Laser flash measurement of the phononic thermal diffusivity of glasses in the presence of ballistic radiative transfer[J].High Temperatures-High Pressures,1997(5):555-560.

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