以工业V2O5为原料,采用热分解法和还原法制备工业VO2薄膜.研究了制备工艺参数对电阻突变的影响及其在自然放置条件下的稳定性.结果表明:1)VO2薄膜的电阻突变达到了2.0～3.4个数量级,突变温度约为35℃,比纯VO2薄膜突变温度约低33℃;2)石英玻璃上的VO2薄膜的电阻突变数量级比普通玻璃上的大;3)H2还原法制备的VO2薄膜电阻突变数量级比N2热分解法制备的大;4)在自然放置条件下短时间内VO2薄膜可承受连续、反复多次的电阻突变,其突变数量级降低不多,突变温度滞后几乎没有变化;5)同等条件下石英玻璃上的VO2薄膜的电阻突变数量级降低较小、稳定性较好.
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