晶体的化学机械抛光(CMP)加工中存在工件的表面平整度差的问题.晶体平整度差,两块晶体在真空压合的过程中就会导致晶体被压裂甚至压碎,晶体表面出现任何微小的缺陷都会造成压合的失败,晶体的压合对于晶体表面的平整度要求非常高,因此本文针对这一现象提出一种定偏心平面CMP方式,通过此种被动驱动式平面CMP方法,合理选择CMP及偏心距的参数,使得被加工晶体(ZnSe)的表面粗糙度值达到0.846 nm,平面面形误差小于1.178 μm.
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