PrMnO3型前驱体掺杂ZnVTiO基压敏陶瓷显微结构及非线性表征

人工晶体学报, 2014, 43(9): 2258-2264.

PrMnO3型前驱体掺杂ZnVTiO基压敏陶瓷显微结构及非线性表征

赵鸣 ^1, , 韩佳 ^2, , 杨敏 ^3, , 乔凯 ^4, , 陆干祥 ^5,

1.内蒙古科技大学,内蒙古自治区白云鄂博多金属资源综合利用重点实验室,包头014010;内蒙古科技大学材料与冶金学院,包头014010

2.内蒙古科技大学材料与冶金学院,包头014010

3.内蒙古科技大学材料与冶金学院,包头014010

4.内蒙古科技大学材料与冶金学院,包头014010

5.内蒙古科技大学材料与冶金学院,包头014010

基金项目: 内蒙古科技大学大学生创新基金 “内蒙古自治区白云鄂博矿多金属资源综合利用”创新团队专项基金

关键词： PrMnO3 , ZnVTiO , 压敏陶瓷 , 显微结构 , 非线性

Microstructure and Non-linearity Characterization of ZnVTiO Based Varistor Ceramics Doped with PrMnO3 Typed Precursor

Keywords： PrMnO3 , ZnVTiO , varistor ceramic , microstructure , nonlinearity

传统混合氧化物工艺条件下,经900℃烧结4h制备了0～0.3mol％ PrMnO3型前驱体掺杂ZnO-V2O5-TiO2(ZnVTiO)基压敏陶瓷.在此基础上,采用XRD、SEM+ EDS研究其显微结构,按照标准I-V测试法测定其电学非线性.研究表明,该陶瓷除ZnO主晶相及Zn3(VO4)2常见第二相出现以外,还生成了Zn2TiO4、PrVO4两种颗粒相.Ti除了可以使样品晶粒尺寸出现大小两极分化之外,还通过形成Zn2TiO4颗粒相阻碍晶粒生长.PrVO4的含量随前驱体含量的提高而逐渐增加,其对烧结有轻微阻碍作用.0.05％ PrMnO3型前驱体掺杂ZnVTiO基压敏陶瓷非线性最佳,非线性系数为23,压敏电压为154.1V,漏电流为19.6 μA.

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